Samsung использует 3-нм техпроцесс TSMC для памяти Nvidia — Asharq Al-Awsat
Samsung Electronics использует 3-нанометровый технологический процесс тайваньской компании TSMC для производства базовых кристаллов памяти с высокой пропускной способностью нового поколения для Nvidia. Об этом со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает Asharq Al-Awsat.
Требования Nvidia к производителям памяти
По данным газеты, Nvidia попросила Samsung, SK Hynix и Micron Technology использовать техпроцесс TSMC для базовых кристаллов NVHBM. Для основных кристаллов компания также определила применение DRAM-технологии шестого поколения.
Это может стать первым случаем сотрудничества Samsung с тайваньским контрактным производителем микросхем на этапе изготовления HBM. Samsung согласилась с требованиями Nvidia после внутреннего рассмотрения, сообщило Seoul Economic Daily.
Больше актуальных новостей — в Telegram-канале UA.News Telegram.
Планы Samsung относительно других продуктов
NVHBM, представленная Nvidia в августе, разработана со встроенным в базовый кристалл собственным контроллером памяти компании. По информации Nvidia, это решение должно стандартизировать внедрение технологии для различных поставщиков памяти.
В то же время Samsung планирует сохранить собственную производственную модель для стандартной HBM и индивидуальных продуктов для других заказчиков. По словам неназванного источника, на который ссылается газета, компания также оценивает возможность изготовления базовых кристаллов NVHBM на собственных производственных мощностях, если спрос превысит возможности TSMC.
