Siemens допоможе IBM підготувати 3D-архітектуру транзисторів Nanostack до масового виробництва
Компанії IBM та Siemens оголосили про початок спільної дослідницької співпраці, спрямованої на розвиток нової транзисторної архітектури IBM Nanostack.
Як зазначається, партнерство об'єднує інновації IBM у сфері напівпровідникових пристроїв із компетенціями Siemens у галузі автоматизації проектування електроніки (EDA), симуляції процесів, оптимізації літографії та програмного забезпечення для високотехнологічного виробництва.
Архітектура Nanostack є першою у світі тривимірною конструкцією на основі нанолистів, яка забезпечує вертикальне та східчасте розміщення транзисторів для збільшення щільності їх компонування. На поточному 7-ангстремному вузлі технологія дозволяє розмістити майже 100 мільярдів транзисторів на площі розміром із ніготь. Дизайн також дає змогу використовувати різні комбінації матеріалів у кожному вертикальному шарі, що забезпечує незалежну оптимізацію продуктивності та енергоефективності кожного окремого транзистора, а також прискорює масштабування пам'яті SRAM.
Раніше цього року IBM продемонструвала життєздатність концепції Nanostack, проте для переходу до масового промислового виробництва потрібне подальше вдосконалення технологічних процесів. У рамках співпраці IBM та Siemens розроблятимуть розширені віртуальні моделі Nanostack, які дозволять моделювати продуктивність, оптимізувати схеми та усувати фізичні проблеми виготовлення ще до початку фізичного виробництва чипів для 7-ангстремного вузла та наступних поколінь.
Як зазначив віцепрезидент з досліджень і розробок кремнієвих технологій IBM Хюймін Бу (Huiming Bu), Nanostack переносить масштабування пристроїв із 2D у 3D-вимір, забезпечуючи фундамент для логічного масштабування, необхідного для підтримки АІ та інших перспективних технологій протягом наступного десятиліття. Виконавчий віцепрезидент Siemens з EDA IC Анкур Гупта (Ankur Gupta) підкреслив, що вимоги фізичного АІ до кремнієвої архітектури потребують тісної взаємооптимізації між фізичними параметрами напівпровідників, інструментами автоматизованого проектування та реальними технологічними процесами виробництва чипів.
Спільний проект IBM та Siemens відображає фундаментальний перехід напівпровідникової індустрії від класичного планарного (2D) масштабування до тривимірних (3D) структур на ангстремному рівні. Оскільки фізичні обмеження кремнію унеможливлюють подальше зменшення розмірів елементів у площині, вертикальне стекування транзисторів із комбінуванням різних матеріалів стає єдиним шляхом забезпечення зростаючих вимог АІ-інфраструктури до обчислювальної потужності та енергоефективності.
Залучення Siemens як провідного розробника EDA-інструментів підкреслює зростаючу роль віртуального моделювання у сучасному виробництві напівпровідників. Створення цифрових двійників складних 3D-структур до початку їх фізичного виготовлення дозволяє суттєво скоротити тривалість дослідницького циклу, знизити брак під час літографії та прискорити комерціалізацію ангстремних технологій для задоволення потреб майбутніх систем штучного інтелекту.
Як зазначається, партнерство об'єднує інновації IBM у сфері напівпровідникових пристроїв із компетенціями Siemens у галузі автоматизації проектування електроніки (EDA), симуляції процесів, оптимізації літографії та програмного забезпечення для високотехнологічного виробництва.
Архітектура Nanostack є першою у світі тривимірною конструкцією на основі нанолистів, яка забезпечує вертикальне та східчасте розміщення транзисторів для збільшення щільності їх компонування. На поточному 7-ангстремному вузлі технологія дозволяє розмістити майже 100 мільярдів транзисторів на площі розміром із ніготь. Дизайн також дає змогу використовувати різні комбінації матеріалів у кожному вертикальному шарі, що забезпечує незалежну оптимізацію продуктивності та енергоефективності кожного окремого транзистора, а також прискорює масштабування пам'яті SRAM.
Раніше цього року IBM продемонструвала життєздатність концепції Nanostack, проте для переходу до масового промислового виробництва потрібне подальше вдосконалення технологічних процесів. У рамках співпраці IBM та Siemens розроблятимуть розширені віртуальні моделі Nanostack, які дозволять моделювати продуктивність, оптимізувати схеми та усувати фізичні проблеми виготовлення ще до початку фізичного виробництва чипів для 7-ангстремного вузла та наступних поколінь.
Як зазначив віцепрезидент з досліджень і розробок кремнієвих технологій IBM Хюймін Бу (Huiming Bu), Nanostack переносить масштабування пристроїв із 2D у 3D-вимір, забезпечуючи фундамент для логічного масштабування, необхідного для підтримки АІ та інших перспективних технологій протягом наступного десятиліття. Виконавчий віцепрезидент Siemens з EDA IC Анкур Гупта (Ankur Gupta) підкреслив, що вимоги фізичного АІ до кремнієвої архітектури потребують тісної взаємооптимізації між фізичними параметрами напівпровідників, інструментами автоматизованого проектування та реальними технологічними процесами виробництва чипів.
Спільний проект IBM та Siemens відображає фундаментальний перехід напівпровідникової індустрії від класичного планарного (2D) масштабування до тривимірних (3D) структур на ангстремному рівні. Оскільки фізичні обмеження кремнію унеможливлюють подальше зменшення розмірів елементів у площині, вертикальне стекування транзисторів із комбінуванням різних матеріалів стає єдиним шляхом забезпечення зростаючих вимог АІ-інфраструктури до обчислювальної потужності та енергоефективності.
Залучення Siemens як провідного розробника EDA-інструментів підкреслює зростаючу роль віртуального моделювання у сучасному виробництві напівпровідників. Створення цифрових двійників складних 3D-структур до початку їх фізичного виготовлення дозволяє суттєво скоротити тривалість дослідницького циклу, знизити брак під час літографії та прискорити комерціалізацію ангстремних технологій для задоволення потреб майбутніх систем штучного інтелекту.
Як безпечно перейти до системного та керованого використання ChatGPT Business
Источник: KO
Поделиться