IBM та Siemens об’єднують зусилля для розвитку наностекової архітектури

IBM спільно з Siemens оголосила про нове дослідження, спрямоване на розвиток архітектури nanostack. Ця нова архітектура транзисторів була представлена IBM на початку цього року.

Співпраця об’єднає лідерство IBM у розробці напівпровідникових пристроїв та експертизу Siemens в галузі автоматизації електронного проєктування (EDA), симуляції процесів, оптимізації літографії та програмного забезпечення для передового виробництва. Мета – прискорити розробку nanostack.

Nanostack є першим у галузі тривимірним дизайном на основі наношарів, який вертикально складає та зміщує транзистори. Це дозволяє розмістити більше транзисторів на чипі – близько 100 мільярдів в просторі розміром з ніготь, за поточного 7-ангстремного вузла. Дизайн також відкриває можливості використання різних комбінацій матеріалів у кожному складеному шарі для оптимізації продуктивності та енергоефективності кожного транзистора незалежно від інших. Ці інновації забезпечують значні стрибки в енергоефективності, продуктивності та масштабуванні SRAM.

На початку цього року IBM продемонструвала життєздатність архітектури nanostack. Тепер необхідні додаткові досягнення для підготовки технології до масштабованого виробництва.

У рамках цієї співпраці IBM та Siemens працюватимуть над вдосконаленням технік проєктування, симуляції та літографії, необхідних для цього та майбутніх поколінь nanostack, що перевищуватимуть поточний 7-ангстремний вузол. Співпраця включає розробку передових віртуальних моделей nanostack для моделювання продуктивності, оптимізації дизайнів та вирішення проблем виготовлення ще до створення чипів.

«Nanostack – це масштабована платформа транзисторів, розроблена для переходу масштабування пристроїв з 2D у 3D, що представляє нову парадигму для напівпровідникової промисловості та шлях вперед для логічного масштабування, необхідного для підтримки ШІ та інших новітніх технологій протягом наступного десятиліття», – зазначив Хуімін Бу, віце-президент з досліджень і розробок кремнієвих технологій IBM. «Ми раді співпрацювати з Siemens, продовжуючи розвивати цю технологію та досліджувати нові підходи до розширення ангстремного масштабування за допомогою nanostack».

«Масштабування напівпровідників до ери ангстрем потребує тісно пов’язаної спільної оптимізації між фізикою пристроїв, EDA-дизайном та виробничим програмним забезпеченням, а також самим виробництвом. Оскільки фізичний ШІ створює надзвичайні вимоги до архітектури кремнію, 3D-дизайн nanostack від IBM є вирішальним стрибком вперед», – сказав Анкур Гупта, виконавчий віце-президент портфоліо EDA IC компанії Siemens. «Співпраця Siemens з IBM з метою вдосконалення віртуального моделювання, симуляції, літографії та оптимізації програмного забезпечення для дизайну, необхідних для раннього виявлення фізичних обмежень та прискорення розробки цих складних архітектур, є справді піонерською».

Поєднуючи лідерство IBM у напівпровідниках з передовим програмним забезпеченням EDA та технологіями симуляції від Siemens, компанії прагнуть прискорити цикли розробки технологій та зміцнити виробничу основу, необхідну для виведення nanostack на етап виробництва.

джерело: IBM