Samsung розробляє нові NAND-чіпи для ШІ

Samsung Electronics активно працює над новими рішеннями в галузі NAND-флеш-пам’яті, оптимізованими для потреб штучного інтелекту (ШІ). Як повідомляє південнокорейське видання ZDNET Korea, компанія розробляє не тільки раніше анонсований zNAND-O, але й дві нові моделі: zNAND-T та zNAND-I.

Спеціалізовані NAND-рішення для ШІ

З розвитком штучного інтелекту зростає потреба в спеціалізованих напівпровідникових рішеннях, які можуть забезпечити високу продуктивність для відповідних завдань. Samsung Electronics розуміє це і розширює свою лінійку NAND-флеш-пам’яті, призначену для ШІ-навантажень.

zNAND-T: Оптимізація пропускної здатності

Модель zNAND-T, де літера “T” позначає “Throughput” (пропускна здатність), націлена на підвищення показників швидкості читання та запису даних. Це рішення схоже на концепцію HBF (High Bandwidth Flash), запропоновану компаніями SanDisk та SK Hynix. Воно передбачає використання технології TSV (Through-Silicon Via) для вертикального стекерування NAND-чіпів, що дозволяє досягти вищої пропускної здатності, критично важливої для центрів обробки даних, які працюють з величезними обсягами інформації для ШІ-моделей.

zNAND-I: Підвищення випадкової продуктивності

Модель zNAND-I, де “I” символізує IOPS (Input/Output Operations Per Second) – показник операцій введення-виведення за секунду, акцентує увагу на продуктивності при частих операціях читання та запису невеликих обсягів даних. Це особливо актуально для сценаріїв, таких як KV Cache offload (вивантаження кешу ключ-значення), де швидкість доступу до окремих даних відіграє ключову роль. Ця оптимізація дозволяє прискорити роботу з розподіленими базами даних та кешуванням.

“Три варіанти zNAND, кожен зі своїми сильними сторонами, демонструють перехід NAND-флеш-пам’яті від універсальних продуктів до повністю кастомізованих рішень, розроблених для конкретних завдань.”

На шляху до персоналізованих рішень

Розробка таких спеціалізованих рішень, як zNAND-T і zNAND-I, свідчить про глобальну тенденцію в індустрії напівпровідників – відхід від універсальних продуктів на користь більш кастомізованих. Кожен тип NAND-пам’яті буде призначений для конкретного набору завдань, що дозволить досягти максимальної ефективності та продуктивності в різних застосуваннях, пов’язаних зі штучним інтелектом.

Ці розробки Samsung Electronics є важливим кроком у напрямку забезпечення галузі ШІ необхідною інфраструктурою зберігання даних, здатною впоратися зі зростаючими вимогами до обчислювальної потужності та швидкості обробки інформації.

Раніше компанія SK Hynix також представила свою лінійку продуктів AIN Family, що свідчить про зростання інтересу до спеціалізованих рішень для ШІ.

Джерело: https://www.ithome.com/1/011/871.htm